క్రిస్టల్ గ్రోత్

కాంపౌండ్ సెమీకండక్టర్‌ను మొదటి తరం సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్‌తో పోలిస్తే, ఆప్టికల్ ట్రాన్సిషన్, హై ఎలక్ట్రాన్ సాచురేషన్ డ్రిఫ్ట్ రేట్ మరియు హై టెంపరేచర్ రెసిస్టెన్స్, రేడియేషన్ రెసిస్టెన్స్ మరియు ఇతర లక్షణాలతో పోలిస్తే, సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ యొక్క రెండవ తరం అని పిలుస్తారు. ఫ్రీక్వెన్సీ, తక్కువ శక్తి, తక్కువ శబ్దం వేల మరియు సర్క్యూట్లు, ముఖ్యంగా ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు మరియు ఫోటోఎలెక్ట్రిక్ నిల్వ ప్రత్యేక ప్రయోజనాలను కలిగి ఉన్నాయి, వీటిలో అత్యంత ప్రతినిధి GaAs మరియు InP.

సమ్మేళనం సెమీకండక్టర్ సింగిల్ స్ఫటికాల పెరుగుదలకు (GaAs, InP, మొదలైనవి) ఉష్ణోగ్రత, ముడి పదార్థ స్వచ్ఛత మరియు పెరుగుదల పాత్ర స్వచ్ఛతతో సహా అత్యంత కఠినమైన వాతావరణాలు అవసరం.PBN ప్రస్తుతం సమ్మేళనం సెమీకండక్టర్ సింగిల్ స్ఫటికాల పెరుగుదలకు ఆదర్శవంతమైన పాత్ర.ప్రస్తుతం, కాంపౌండ్ సెమీకండక్టర్ సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్ మెథడ్స్‌లో ప్రధానంగా లిక్విడ్ సీల్ డైరెక్ట్ పుల్ మెథడ్ (LEC) మరియు వర్టికల్ గ్రేడియంట్ సాలిడిఫికేషన్ మెథడ్ (VGF), బోయు VGF మరియు LEC సిరీస్ క్రూసిబుల్ ఉత్పత్తులకు అనుగుణంగా ఉంటాయి.